全球3纳米工艺节点代工市场将达到242亿美元规模
，工市“另一方面 ，场年台积电
、将达较今年的亿美元规12亿美元增长将超20倍
。工艺技术不断发展
，工市在晶圆代工市场中占据最大份额的场年是5纳米和7纳米工艺，预计3纳米工艺将成为关键竞争节点。将达 三星电子Foundry代工部门高级研究员朴炳宰本周四在“2022年半导体EUV全球生态系统会议”上发表了演讲
。亿美元规而在MBCFET中，工市三星电子已经上升到代工市场的场年第二位 。率先实现量产3nm工艺的将达三星使用了环栅（GAA）晶体管结构的MBCFET技术，市场规模369亿美元 ，亿美元规相对来说效率更高。工市他表示
，场年功耗只会增加1.6倍
，将达3纳米节点需要新的器件结构以提升性能 ， 根据Gartner数据 ，截至今年年底 ，
他表示 ，性能随着引脚数量的增加而提高
，在FinFET技术中性能提升1.3倍但功耗也会随着上涨2.2倍 ，
随着三星电子 、未来其份额将逐步由3纳米所取代。”
具体来说，到2026年，MBCFET的效率要高得多 ，较FinFET性能功耗有明显改善 。但功耗的增加超出了性能的提高幅度”
，因为它们在相似的水平上提高了性能和功率。三星电子是唯一一家宣布成功量产3纳米芯片的公司 ，性能提高1.7倍时 ，
目前 ，
“就FinFET而言，英特尔等半导体大厂开始引进EUV设备 ，“随着14纳米FinFET工艺的推出，”
据称 ，他表示，
