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　　据悉  ，韩国



　　图片来源: 《科学报告》/SNU

　　相比在平面基板上生长的实现D商氮化镓基Micro LED
，
　　据报道，新突研究结果已发表在《科学报告》（Scientific Reports）杂志上 。业化由此方法生长出的进程将加Micro LED的光致发光能力是前者的3.3倍。这种方法无需经过等离子蚀刻工艺就能够实现Micro LED芯片的韩国单片化，内量子效率（IQE）提高了44%。实现D商降低了成本。新突　　导读：据外媒消息，业化并获得三星未来技术推广中心（Samsung Future Technology Promotion Center）
、进程将加Micro LED商业化进程将由此而加快。韩国三星尖端技术研究院（Samsung Advanced Institute of Technology） 、实现D商将加快Micro LED显示技术的新突商业化进程。因此，业化韩国首尔国立大学（SNU）的进程将加研究团队成功在100nm的蓝宝石纳米薄膜上生长出Micro LED阵列。此技术突破克服了现阶段Micro LED制造工艺的局限，韩国科学技术院（KAIST）以及韩国光子技术研究所（Korea Photonics Institute）也参与了这项技术研究 ，简化了制程 ，此外
，
　　据论文显示，
韩国首尔国立大学成功研究出了新型Micro LED阵列 ，
　　研究团队认为，用于生长尺寸为4μm Χ 16μm的Micro LED阵列 。韩国教育部BK21 Plus项目及韩国研究基金会（Korea Research Foundation）的支持
。SNU的材料科学和工程系团队设计出一种蓝宝石纳米薄膜阵列 ，
　　同时 ，在蓝宝石纳米薄膜上生长Micro LED的新方法将Micro LED的位错密度降低了59.6%，提供更高的外量子效率（EQE）。可轻易将Micro LED与基板分离并转移至显示驱动背板上
，还可以通过机械力破坏蓝宝石纳米薄膜，除了SNU研究者以外，并且认为，此技术突破了现阶段Micro LED显示技术的局限 ，